高非線性光纖 (HNLF) 光纖中的非線性效應, 諸如受激拉曼散射(SRS)、受激布里淵散射(SBS)以及光學克爾效應, 在通信和光信號處理領域有諸多應用。在克爾效應中，導光介質材料的折射率隨光功率變化，這將導致一系列次級效應

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更新時間：2024-12-05

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光纖/光纖器件/光纖處理

光纖研磨拋光/切割剝離器光纖加工/傳感/邊拋/微納光纖熔融拉錐機系統跳線/連接器/光纖束/光纜其它光纖器件 MFA光纖模場(模式)匹配器光纖光柵(FBG)器件偏振(PZ)光纖光子晶體光纖（PCF）高非線性光纖(HNLF) 金屬化光纖無源光纖摻雜光纖（有源光纖）特種光纖中紅外光纖

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應用領域	環保,化工,能源

高非線性光纖 (HNLF) 光纖中的非線性效應, 諸如受激拉曼散射(SRS)、受激布里淵散射(SBS)以及光學克爾效應, 在通信和光信號處理領域有諸多應用。在克爾效應中，導光介質材料的折射率隨光功率變化，這將導致一系列次級效應，例如自相位調制(SPM)、交叉相位調制 (XPM)、四波混頻(FWM)、以及非穩態調制。利用克爾效應的應用包括光參量放大、頻率轉換、相位耦合、脈沖壓縮與產生、光孤子傳輸等。高非線性光纖的設計需要考慮以下幾個方面：首先，光纖要有高的非線性以獲得有效的非線性相互作用；其次光纖須有較低的損耗以增加有效作用長度 Leff。再者，對于各種應用，光纖要有相匹配的色散特性。最后，非線性光纖須有低的偏振模式色散(PMD)。對于石英基的高非線性光纖，折射率剖面的設計對于滿足以上要求起重要作用。在高非線性光纖的設計中，小的芯區有效面積 Aeff，低的色散斜率以及遠小于工作波長的截止波長必須同時實現。高非線性光纖不但擁有較高的非線性，且同時擁有很低的色散斜率。采用靈活的 W 型剖面設計，在階躍折射率芯周圍引入低折射率內包層。

截止波長

1480nm

通用參數

產品特點：

較高的非線性系數

零色散波長在 S, C, L 三波段可調

較低的損耗和低的色散斜率

與普通單模光纖熔接具有較小的附加損耗

產品應用：

參量放大

波長轉換

脈沖壓縮

超連續光源

光再生器

離散式 (或集總式) 拉曼放大器

技術參數

光纖類型	NL-1550-POS	NL-1550-ZERO	NL-1550-NEG
光學特性
工作波段	C-波段	C-波段	C-波段
色散斜率@1550nm (ps/nm2/km)	<0.035	<0.030	<0.030
色散@1550nm (ps/nm/km)	3±2.0	0.0±1	-5.0±2.0
非線性系數@1550nm (W-1km-1)	≥10	≥10	≥10
衰減系數@1550nm (dB/km)	≤1.5	≤1.5	≤1.5
截止波長(nm)	<1480	<1480	<1480
數值孔徑 (典型值)	0.35	0.35	0.35
幾何特性
玻璃包層直徑 (μm)	125±7	125±7	125±7
包層不圓度 (%)	≤1	≤1	≤1
芯包同心度 (μm)	≤0.5	≤0.5	≤0.5
涂敷層直徑 (μm)	245±10	245±10	245±10