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產(chǎn)品中心

當前位置：首頁產(chǎn)品中心光電探測器 InGaAs銦鎵砷光電探測器InGaAs 超低噪單元探測器 UPD-200M-A

InGaAs 超低噪單元探測器 UPD-200M-A

產(chǎn)品簡介

InGaAs 超低噪單元探測器 UPD-200M-A

產(chǎn)品型號：

更新時間：2024-12-07

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

訪問量：1019

產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類

光電探測器

超快光電探測器/EOT 單光子探測器/計數(shù)器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

tel-phone

400-828-1550

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品牌	其他品牌	價格區(qū)間	面議
組成要素	半導體激光器產(chǎn)品及設備	產(chǎn)地類別	進口
應用領域	化工,建材/家具,電子/電池

覽

超低噪聲光電單元探測模塊集成了超低噪聲模擬PIN探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲隔離電源單電源供電，輸出信號不受外部供電電源的影響。該模塊在本底噪聲控制方面尤為突出，在相同參數(shù)下其本底噪聲約為常規(guī)模塊的三分之一，很好滿足客戶對更小信號探測以及更高信噪比的需求。

InGaAs 超低噪單元探測器 UPD-200M-A InGaAs 超低噪單元探測器 UPD-200M-A

通用參數(shù)

產(chǎn)品特點

噪聲超低

高增益

高帶寬

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源

產(chǎn)品應用

光纖傳感

光纖通信

激光測距

光譜測量

ns 級光脈沖探測

參數(shù)

產(chǎn)品型號	UPD-100M-A	UPD-200M-A	UPD-300M-A	UPD-400M-A	UPD-500M-A	UPD-600M-A	UPD-800M-A	UPD-1G-A	UPD-1.2G-A	UPD-1.5G-A	UPD-2G-A	UPD-2.5G-A	UPD-5G-A	單位
探測器類型	InGaAs
波長	800~1700													nm
帶寬	100M	200M	300M	400M	500M	600M	800M	1G	1.2G	1.5G	2G	2.5G	5G	Hz
探測器響應度	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	A/W@1550nm
跨阻增益	30K	30K	30K	20K	15K	15K	30K	30K	30K	30K	30K	30K	6K	V/W
飽和光功率	140	140	140	420	280	280	140	140	140	420	140	140	700	μW
NEP	2.2	2.2	2.2	2.7	3.1	3.1	3.3	3.3	3.3	3.3	3.3	3.3	3.3	pW/Sqrt(Hz)
輸出阻抗	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	Ω
輸出耦合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC	DC	AC	AC	AC	AC	AC	AC	AC
供電電壓	5	5	5	5	5	12	12	12	12	12	12	12	12	V
供電電流	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.3	A
光學輸入	FC/APC（自由空間光可選）												FC/APC
射頻輸出	SMA												SMA
外形尺寸	655020						655025						809025	mm

測試結(jié)果

300MHz超低噪聲單元探測器

超低噪單元探測器與常規(guī)單元探測器底噪對比

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